Dữ liệu về tiết diện ion hoá của phân tử khí (1/2)

Hiện tượng plasma với các phân tử phức tạp tồn tại trong các khí “feed gas-tiếp liệu”, việc tìm hiểu chi tiết đòi hỏi sự  xác định của các dạng ion được hình thành do va chạm electron. Như vậy, các tiết diện va chạm là cần thiết đối với việc hình thành của các ion “mẹ” và các sản phẩm của quá trình ion hoá phân ly. Đây là những khác biệt với tổng tiết diện ion hóa (tổng của các dạng ion hoá), chúng được đo trong một số trường hợp nhưng không được cung cấp thông tin đầy đủ về các dạng ion cụ thể được tạo ra.
Các tiết diện ion hoá cụ thể đã được xác định cho một loạt các hợp chất xử lý plasma, bao gồm SiH4, CF4, SF6, CCl2F2, và O2, cũng như  với khí làm sạch thông thường N2. Tổng tiết diện ion hoá cũng đã được báo cáo đối với chất khí Cl2 và F2. Sự thay đổi của các tiết diện này có thể xảy ra khi các phân tử mục tiêu ở trạng thái điện tử dao động hoặc điện tử kích thích. Khoa học thực nghiệm cũng không phát triển tốt đến mức để có thể nghiên cứu các dạng ảnh hưởng này.

Leave a Reply

Fill in your details below or click an icon to log in:

WordPress.com Logo

You are commenting using your WordPress.com account. Log Out / Change )

Twitter picture

You are commenting using your Twitter account. Log Out / Change )

Facebook photo

You are commenting using your Facebook account. Log Out / Change )

Google+ photo

You are commenting using your Google+ account. Log Out / Change )

Connecting to %s